STU150N3LLH6

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STU150N3LLH6概述

STMICROELECTRONICS  STU150N3LLH6  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.0024 ohm, 10 V, 1 V

N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 30V 80A IPAK


欧时:
STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 STU150N3LLH6, 80 A, Vds=30 V, 3引脚


贸泽:
MOSFET N-CH 30V STripFET 80A DEEPGATE


e络盟:
STMICROELECTRONICS  STU150N3LLH6  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.0024 ohm, 10 V, 1 V


艾睿:
Make an effective common source amplifier using this STU150N3LLH6 power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 110000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C.


DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 80A IPAK


STU150N3LLH6中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.0024 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 110 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 80A

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 4040pF @25VVds

下降时间 46 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 110W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 2.4 mm

高度 6.9 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STU150N3LLH6
型号: STU150N3LLH6
描述:STMICROELECTRONICS  STU150N3LLH6  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.0024 ohm, 10 V, 1 V
替代型号STU150N3LLH6
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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