STW24NM60N

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STW24NM60N概述

STMICROELECTRONICS  STW24NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.168 ohm, 10 V, 3 V

N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 600V 17A TO247


立创商城:
N沟道 600V 17A


欧时:
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e络盟:
STMICROELECTRONICS  STW24NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.168 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
As an alternative to traditional transistors, the STW24NM60N power MOSFET from STMicroelectronics can be used to both amplify and switch electronic signals. Its maximum power dissipation is 125000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This device is made with mdmesh technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 17A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 125W; TO247


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


力源芯城:
600V,17A,N沟道MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 650V 17A TO247


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 17A TO247


STW24NM60N中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.168 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 125 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 16.5 ns

输入电容Ciss 1400pF @50VVds

额定功率Max 125 W

下降时间 37 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 20.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STW24NM60N
型号: STW24NM60N
描述:STMICROELECTRONICS  STW24NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.168 ohm, 10 V, 3 V
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