STU10NM60N

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STU10NM60N概述

N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics


立创商城:
N沟道 600V 10A


得捷:
MOSFET N-CH 600V 10A IPAK


欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STU10NM60N, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-251封装


贸泽:
MOSFET N-channel 600 V Mdmesh 8A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; 70W; IPAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


力源芯城:
600V,10A,N沟道MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 10A IPAK


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 10A IPAK


STU10NM60N中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.53 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 70 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 10A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 540pF @50VVds

额定功率Max 70 W

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 70W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 2.4 mm

高度 6.9 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

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型号: STU10NM60N
描述:N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
替代型号STU10NM60N
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