STMICROELECTRONICS STW8NK80Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 800 V, 1.5 ohm, 10 V, 3.75 V
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics
### MOSFET ，STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 800V 6.2A TO247-3
欧时:
### N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics![http://china.rs-online.com/largeimages/LBIPOLAR-10.gif]http://china.rs-online.com/largeimages/LBIPOLAR-10.gif ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
立创商城:
N沟道 800V 6.2A
e络盟:
STMICROELECTRONICS STW8NK80Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 800 V, 1.5 ohm, 10 V, 3.75 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 6.2A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 6.2A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 140W; TO247-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 6.2A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
DeviceMart:
MOSFET N-CH 800V 6.2A TO-247
Win Source:
MOSFET N-CH 800V 6.2A TO-247
额定电压DC 800 V
额定电流 6.20 A
针脚数 3
漏源极电阻 1.5 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 140 W
阈值电压 3.75 V
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 6.20 A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 1320pF @25VVds
额定功率Max 140 W
下降时间 28 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 140W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 15.75 mm
宽度 5.15 mm
高度 20.15 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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