STS4DPF30L

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STS4DPF30L概述

STMICROELECTRONICS  STS4DPF30L  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4 A, -30 V, 0.07 ohm, 10 V, 1 V

P 通道 STripFET™ 双 MOSFET,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。


得捷:
MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC


欧时:
STMicroelectronics STripFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET STS4DPF30L, 4 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装


贸泽:
MOSFET P-Ch 30 Volt 4 Amp


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 8-Pin SO N T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 8-Pin SO N T/R


富昌:
STS4DPF30L系列 双P沟道 30 V 0.08 Ohm STripFET MosFet - SOIC-8


TME:
Transistor: P-MOSFET x2; STripFET™ F7; unipolar; -30V; -2.5A; 2W


Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 8-Pin SO N T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STS4DPF30L  Dual MOSFET, Dual P Channel, 4 A, -30 V, 0.07 ohm, 10 V, 1 V


Win Source:
MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC


STS4DPF30L中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -30.0 V

额定电流 -4.00 A

通道数 2

针脚数 8

漏源极电阻 0.07 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

栅源击穿电压 ±16.0 V

连续漏极电流Ids 4.00 A

上升时间 35 ns

输入电容Ciss 1350pF @25VVds

额定功率Max 2 W

下降时间 35 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.25 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

STS4DPF30L引脚图与封装图
STS4DPF30L引脚图
STS4DPF30L封装图
STS4DPF30L封装焊盘图
在线购买STS4DPF30L
型号: STS4DPF30L
描述:STMICROELECTRONICS  STS4DPF30L  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4 A, -30 V, 0.07 ohm, 10 V, 1 V
替代型号STS4DPF30L
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