STMICROELECTRONICS STS4DPF30L 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4 A, -30 V, 0.07 ohm, 10 V, 1 V
P 通道 STripFET™ 双 MOSFET,STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
得捷:
MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC
欧时:
STMicroelectronics STripFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET STS4DPF30L, 4 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
贸泽:
MOSFET P-Ch 30 Volt 4 Amp
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 8-Pin SO N T/R
安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 8-Pin SO N T/R
富昌:
STS4DPF30L系列 双P沟道 30 V 0.08 Ohm STripFET MosFet - SOIC-8
TME:
Transistor: P-MOSFET x2; STripFET™ F7; unipolar; -30V; -2.5A; 2W
Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 8-Pin SO N T/R
Newark:
# STMICROELECTRONICS STS4DPF30L Dual MOSFET, Dual P Channel, 4 A, -30 V, 0.07 ohm, 10 V, 1 V
Win Source:
MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -4.00 A
通道数 2
针脚数 8
漏源极电阻 0.07 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
栅源击穿电压 ±16.0 V
连续漏极电流Ids 4.00 A
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 1350pF @25VVds
额定功率Max 2 W
下降时间 35 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.25 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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