STMICROELECTRONICS STS7NF60L 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.5 A, 60 V, 0.017 ohm, 10 V, 1 V
The is a STripFET™ II N-channel Power MOSFET developed using unique Single Feature Size™ strip-based process. The device has extremely high packing density for low ON-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
额定电压DC 60.0 V
额定电流 7.50 A
针脚数 8
漏源极电阻 0.017 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 1 V
输入电容 1.70 nF
栅电荷 25.0 nC
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±16.0 V
连续漏极电流Ids 7.50 A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 1700pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
高度 1.65 mm
封装 SOIC-8
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, 工业, Industrial, 便携式器材, 电机驱动与控制, Portable Devices, 计算机和计算机周边, Computers & Computer Peripherals, 电源管理, Motor Drive & Control
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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STS7NF60L ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
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