STMICROELECTRONICS STS2DNF30L 功率场效应管, MOSFET
The is a dual N-channel STripFET™ Power MOSFET for switching applications. This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique "single feature size" strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low ON-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
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- Standard outline for easy automated surface-mount assembly
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- Low threshold gate drive
额定电压DC 30.0 V
额定电流 3.00 A
针脚数 8
漏源极电阻 0.09 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 1.6 W
阈值电压 1.7 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±18.0 V
连续漏极电流Ids 3.00 A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 121pF @25VVds
额定功率Max 2 W
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.65 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, Industrial, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STS2DNF30L ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STS6DNF30L 意法半导体 | 功能相似 | STS2DNF30L和STS6DNF30L的区别 |