STP10NM65N

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STP10NM65N概述

STMICROELECTRONICS  STP10NM65N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 650 V, 430 mohm, 10 V, 3 V

N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB


欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP10NM65N, 9 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装


贸泽:
MOSFET N-Channel 650V Power MDmesh


e络盟:
STMICROELECTRONICS  STP10NM65N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 650 V, 430 mohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 9A TO-220


STP10NM65N中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 430 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 90 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 4.50 A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 850pF @50VVds

额定功率Max 90 W

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 90W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STP10NM65N
型号: STP10NM65N
描述:STMICROELECTRONICS  STP10NM65N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 650 V, 430 mohm, 10 V, 3 V
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