STMICROELECTRONICS STP10NM65N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 650 V, 430 mohm, 10 V, 3 V
N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB
欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP10NM65N, 9 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
贸泽:
MOSFET N-Channel 650V Power MDmesh
e络盟:
STMICROELECTRONICS STP10NM65N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 650 V, 430 mohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 9A TO-220
针脚数 3
漏源极电阻 430 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 90 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 4.50 A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 850pF @50VVds
额定功率Max 90 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 90W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
STP10NM65N ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STD10NM65N 意法半导体 | 功能相似 | STP10NM65N和STD10NM65N的区别 |
STU10NM65N 意法半导体 | 功能相似 | STP10NM65N和STU10NM65N的区别 |