STP12NK30Z

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STP12NK30Z概述

STMICROELECTRONICS  STP12NK30Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 300 V, 400 mohm, 10 V, 3.75 V

通孔 N 通道 9A(Tc) 90W(Tc) TO-220AB


得捷:
MOSFET N-CH 300V 9A TO220AB


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 300 V, 0.4 ohm, 10 V, 3.75 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 300V 9A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 300V 9A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


富昌:
STP12 系列 N 沟道 300 V 0.4 Ohm SuperMESH™功率 Mosfet - TO-220


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 300V 9A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 5.6A; 90W; TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 300V 9A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STP12NK30Z  MOSFET Transistor, N Channel, 9 A, 300 V, 400 mohm, 10 V, 3.75 V


Win Source:
MOSFET N-CH 300V 9A TO-220


STP12NK30Z中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 300 V

额定电流 9.00 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.4 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 90 W

阈值电压 3.75 V

输入电容 670 pF

漏源极电压Vds 300 V

漏源击穿电压 300 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 9.00 A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 670pF @25VVds

额定功率Max 90 W

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 90W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业, 照明, Lighting, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

STP12NK30Z引脚图与封装图
STP12NK30Z引脚图
STP12NK30Z封装图
STP12NK30Z封装焊盘图
在线购买STP12NK30Z
型号: STP12NK30Z
描述:STMICROELECTRONICS  STP12NK30Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 300 V, 400 mohm, 10 V, 3.75 V
替代型号STP12NK30Z
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STP12NK30Z

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STP12NK30Z和FQP14N30的区别

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