STS4DNF60L

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STS4DNF60L概述

STMICROELECTRONICS  STS4DNF60L  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4 A, 60 V, 0.045 ohm, 10 V, 1.7 V

N 通道 STripFET™ 双 MOSFET,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。


得捷:
MOSFET 2N-CH 60V 4A 8-SOIC


欧时:
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立创商城:
2个N沟道 60V 4A


贸泽:
MOSFET N-Ch 60 Volt 4 Amp


e络盟:
场效应管, MOSFET, 双N沟道, 60V, SOIC


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Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R


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Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R


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N-沟道 60 V 0.055 Ω 15 nC 表面贴装 STripFET™ 功率 Mosfet - SOIC-8


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET x2; STripFET™ F7; unipolar; 60V; 3A; 2.5W; SO8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STS4DNF60L  Dual MOSFET, Dual N Channel, 4 A, 60 V, 0.045 ohm, 10 V, 1.7 V


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**DUAL 60V 4A 55mOhm SO-8 **


力源芯城:
60V,0.045Ω,4A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET 2N-CH 60V 4A 8-SOIC


STS4DNF60L中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 4.00 A

通道数 2

针脚数 8

漏源极电阻 0.045 Ω

极性 N-Channel, Dual N-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 1.7 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

栅源击穿电压 ±15.0 V

连续漏极电流Ids 4.00 A

上升时间 28 ns

输入电容Ciss 1030pF @25VVds

额定功率Max 2 W

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.25 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

STS4DNF60L引脚图与封装图
STS4DNF60L引脚图
STS4DNF60L封装图
STS4DNF60L封装焊盘图
在线购买STS4DNF60L
型号: STS4DNF60L
描述:STMICROELECTRONICS  STS4DNF60L  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4 A, 60 V, 0.045 ohm, 10 V, 1.7 V
替代型号STS4DNF60L
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STS4DNF60L

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

FDS9945

飞兆/仙童

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