STMICROELECTRONICS STS4DNF60L 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4 A, 60 V, 0.045 ohm, 10 V, 1.7 V
N 通道 STripFET™ 双 MOSFET,STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
得捷:
MOSFET 2N-CH 60V 4A 8-SOIC
欧时:
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立创商城:
2个N沟道 60V 4A
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MOSFET N-Ch 60 Volt 4 Amp
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场效应管, MOSFET, 双N沟道, 60V, SOIC
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N-沟道 60 V 0.055 Ω 15 nC 表面贴装 STripFET™ 功率 Mosfet - SOIC-8
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TME:
Transistor: N-MOSFET x2; STripFET™ F7; unipolar; 60V; 3A; 2.5W; SO8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R
Newark:
# STMICROELECTRONICS STS4DNF60L Dual MOSFET, Dual N Channel, 4 A, 60 V, 0.045 ohm, 10 V, 1.7 V
儒卓力:
**DUAL 60V 4A 55mOhm SO-8 **
力源芯城:
60V,0.045Ω,4A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET 2N-CH 60V 4A 8-SOIC
额定电压DC 60.0 V
额定电流 4.00 A
通道数 2
针脚数 8
漏源极电阻 0.045 Ω
极性 N-Channel, Dual N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 1.7 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
栅源击穿电压 ±15.0 V
连续漏极电流Ids 4.00 A
上升时间 28 ns
输入电容Ciss 1030pF @25VVds
额定功率Max 2 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.25 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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