STP12PF06参数规格_中文资料_数据手册PDF

STP12PF06概述

STMICROELECTRONICS STP12PF06 晶体管, MOSFET, P沟道, 10 A, -60 V, 0.18 ohm, 10 V, 3.4 V

通孔 P 通道 60 V 12A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB

得捷:
MOSFET P-CH 60V 12A TO220AB

贸泽:
MOSFET P-Ch 60 Volt 12 Amp

e络盟:
STMICROELECTRONICS STP12PF06 晶体管, MOSFET, P沟道, 10 A, -60 V, 0.18 ohm, 10 V, 3.4 V

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube

Win Source:
P - CHANNEL 60V - 0.18 ohm - 12A TO-220 STripFET POWER MOSFET

STP12PF06中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -12.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 180 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 60 W

阈值电压 3.4 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 12.0 A

上升时间 40 ns

输入电容Ciss 850pF @25VVds

额定功率Max 60 W

下降时间 10 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 60W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

STP12PF06引脚图与封装图

在线购买STP12PF06

型号： STP12PF06

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：STMICROELECTRONICS STP12PF06 晶体管, MOSFET, P沟道, 10 A, -60 V, 0.18 ohm, 10 V, 3.4 V

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