STMICROELECTRONICS STL150N3LLH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 30 V, 1.4 mohm, 10 V, 1.55 V
The is a STripFET™ V N-channel Power MOSFET housed in a PowerFLAT™ package. The device has been optimized to achieve very low ON-state resistance, contributing to a FOM that is among the best in its class.
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- RDS ON x Qg industry benchmark
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- Extremely low ON-resistance RDS ON
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- High avalanche ruggedness
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- Low gate drive power losses
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- -55 to 150°C Operating junction temperature range
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0014 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 80 W
阈值电压 1.55 V
输入电容 5800 pF
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 17.5 A
上升时间 30.8 ns
输入电容Ciss 5800pF @25VVds
额定功率Max 4 W
下降时间 47.8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 114W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerFLAT-5x6-8
长度 5 mm
宽度 6 mm
高度 0.81 mm
封装 PowerFLAT-5x6-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STL150N3LLH5 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
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