STMICROELECTRONICS STD30NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 60 V, 0.022 ohm, 2.5 V, 1.7 V
N 通道 STripFET™,STMicroelectronics
### MOSFET ,STMicroelectronics
欧时:
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD30NF06LT4, 35 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
得捷:
MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
立创商城:
N沟道 60V 35A
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 V, 35 A, 0.022 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 35A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 35A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 70W; DPAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 35A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 35 A, 60 V, 0.022 ohm, 2.5 V, 1.7 V
儒卓力:
**N-CH 60V 30A 28mOhm TO252-3 **
力源芯城:
60V,0.022Ω,35A,N沟道功率MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
额定电压DC 60.0 V
额定电流 35.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.022 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 70 W
阈值电压 1.7 V
输入电容 1600 pF
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 35.0 A
上升时间 105 ns
输入电容Ciss 1600pF @25VVds
额定功率Max 70 W
下降时间 25 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 70W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, 车用, 电机驱动与控制, Motor Drive & Control, Automotive, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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