STD30NF06LT4

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STD30NF06LT4概述

STMICROELECTRONICS  STD30NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 60 V, 0.022 ohm, 2.5 V, 1.7 V

N 通道 STripFET™,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


欧时:
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD30NF06LT4, 35 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


得捷:
MOSFET N-CH 60V 35A DPAK


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N沟道 60V 35A


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功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 V, 35 A, 0.022 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装


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Trans MOSFET N-CH 60V 35A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


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Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


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Trans MOSFET N-CH 60V 35A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 70W; DPAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 35A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


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MOSFET Transistor, N Channel, 35 A, 60 V, 0.022 ohm, 2.5 V, 1.7 V


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**N-CH 60V 30A 28mOhm TO252-3 **


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60V,0.022Ω,35A,N沟道功率MOSFET


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MOSFET N-CH 60V 35A DPAK


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 35A DPAK


STD30NF06LT4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 35.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.022 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 70 W

阈值电压 1.7 V

输入电容 1600 pF

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 35.0 A

上升时间 105 ns

输入电容Ciss 1600pF @25VVds

额定功率Max 70 W

下降时间 25 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 70W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, 车用, 电机驱动与控制, Motor Drive & Control, Automotive, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

STD30NF06LT4引脚图与封装图
STD30NF06LT4引脚图
STD30NF06LT4封装图
STD30NF06LT4封装焊盘图
在线购买STD30NF06LT4
型号: STD30NF06LT4
描述:STMICROELECTRONICS  STD30NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 60 V, 0.022 ohm, 2.5 V, 1.7 V
替代型号STD30NF06LT4
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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