STD40NF10

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STD40NF10概述

STMICROELECTRONICS  STD40NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 100 V, 0.025 ohm, 10 V, 3 V

N 通道 STripFET™,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


立创商城:
N沟道 100V 50A


得捷:
MOSFET N-CH 100V 50A DPAK


欧时:
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD40NF10, 50 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


艾睿:
Amplify electronic signals and switch between them with the help of STMicroelectronics&s; STD40NF10 power MOSFET. Its maximum power dissipation is 125000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. This device utilizes stripfet ii technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


富昌:
N-沟道 100 V 0.028 Ohm 表面贴装 StripFET II 功率 MosFet - TO-252-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STD40NF10  MOSFET Transistor, N Channel, 50 A, 100 V, 0.025 ohm, 10 V, 3 V


DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 50A DPAK


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 50A DPAK


STD40NF10中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.025 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 125 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 50A

上升时间 46 ns

输入电容Ciss 2180pF @25VVds

额定功率Max 125 W

下降时间 13 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STD40NF10
型号: STD40NF10
描述:STMICROELECTRONICS  STD40NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 100 V, 0.025 ohm, 10 V, 3 V
替代型号STD40NF10
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STD40NF10

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