STMICROELECTRONICS STD40NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 100 V, 0.025 ohm, 10 V, 3 V
N 通道 STripFET™,STMicroelectronics
### MOSFET ,STMicroelectronics
立创商城:
N沟道 100V 50A
得捷:
MOSFET N-CH 100V 50A DPAK
欧时:
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD40NF10, 50 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
艾睿:
Amplify electronic signals and switch between them with the help of STMicroelectronics&s; STD40NF10 power MOSFET. Its maximum power dissipation is 125000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. This device utilizes stripfet ii technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
富昌:
N-沟道 100 V 0.028 Ohm 表面贴装 StripFET II 功率 MosFet - TO-252-3
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# STMICROELECTRONICS STD40NF10 MOSFET Transistor, N Channel, 50 A, 100 V, 0.025 ohm, 10 V, 3 V
DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 50A DPAK
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 50A DPAK
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.025 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 50A
上升时间 46 ns
输入电容Ciss 2180pF @25VVds
额定功率Max 125 W
下降时间 13 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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STD40NF10 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
FDD3672 飞兆/仙童 | 功能相似 | STD40NF10和FDD3672的区别 |
FDD86102 飞兆/仙童 | 功能相似 | STD40NF10和FDD86102的区别 |
IPD30N10S3L34ATMA1 英飞凌 | 功能相似 | STD40NF10和IPD30N10S3L34ATMA1的区别 |