STMICROELECTRONICS STD3NK80ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 800 V, 3.8 ohm, 10 V, 3.75 V
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK
立创商城:
STD3NK80ZT4
欧时:
### N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 800 V, 2.5 A, 3.8 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; DPAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# STMICROELECTRONICS STD3NK80ZT4 Power MOSFET, N Channel, 2.5 A, 800 V, 3.8 ohm, 10 V, 3.75 V
儒卓力:
**N-CH 800V 3A 4Ohm TO252-3 **
力源芯城:
800V,2.5A,齐纳保护的功率MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK
Win Source:
MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK
额定电压DC 800 V
额定电流 2.50 A
额定功率 70 W
针脚数 3
漏源极电阻 3.8 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 70 W
阈值电压 3.75 V
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 1.25 A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 485pF @25VVds
额定功率Max 70 W
下降时间 40 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 70W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
STD3NK80ZT4 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STD3NK80Z-1 意法半导体 | 完全替代 | STD3NK80ZT4和STD3NK80Z-1的区别 |
FQD2N80TM 飞兆/仙童 | 功能相似 | STD3NK80ZT4和FQD2N80TM的区别 |
FQD2N80TF 飞兆/仙童 | 功能相似 | STD3NK80ZT4和FQD2N80TF的区别 |