STD3NK80ZT4

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STD3NK80ZT4概述

STMICROELECTRONICS  STD3NK80ZT4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 800 V, 3.8 ohm, 10 V, 3.75 V

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK


立创商城:
STD3NK80ZT4


欧时:
### N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 800 V, 2.5 A, 3.8 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; DPAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STD3NK80ZT4  Power MOSFET, N Channel, 2.5 A, 800 V, 3.8 ohm, 10 V, 3.75 V


儒卓力:
**N-CH 800V 3A 4Ohm TO252-3 **


力源芯城:
800V,2.5A,齐纳保护的功率MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK


Win Source:
MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK


STD3NK80ZT4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 800 V

额定电流 2.50 A

额定功率 70 W

针脚数 3

漏源极电阻 3.8 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 70 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 800 V

漏源击穿电压 800 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 1.25 A

上升时间 27 ns

输入电容Ciss 485pF @25VVds

额定功率Max 70 W

下降时间 40 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 70W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

STD3NK80ZT4引脚图与封装图
STD3NK80ZT4引脚图
STD3NK80ZT4封装图
STD3NK80ZT4封装焊盘图
在线购买STD3NK80ZT4
型号: STD3NK80ZT4
描述:STMICROELECTRONICS  STD3NK80ZT4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 800 V, 3.8 ohm, 10 V, 3.75 V
替代型号STD3NK80ZT4
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STD3NK80ZT4

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

STD3NK80Z-1

意法半导体

完全替代

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FQD2N80TM

飞兆/仙童

功能相似

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