N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics
欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STD3NK90ZT4, 3 A, Vds=900 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
立创商城:
N沟道 900V 3A
得捷:
MOSFET N-CH 900V 3A DPAK
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 900 V, 1.5 A, 4.1 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# STMICROELECTRONICS STD3NK90ZT4 Power MOSFET, N Channel, 1.5 A, 900 V, 4.1 ohm, 10 V, 3.75 V
儒卓力:
**N-CH 900V 3A 5000mOhm TO252-3 **
DeviceMart:
MOSFET N-CH 900V 3A DPAK
Win Source:
MOSFET N-CH 900V 3A DPAK
额定电压DC 900 V
额定电流 3.00 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 4.1 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 90 W
阈值电压 3.75 V
漏源极电压Vds 900 V
漏源击穿电压 900 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 3.00 A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 590pF @25VVds
额定功率Max 90 W
下降时间 18 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 90W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
STD3NK90ZT4 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STD2NK90ZT4 意法半导体 | 类似代替 | STD3NK90ZT4和STD2NK90ZT4的区别 |
FQD2N90TM 飞兆/仙童 | 功能相似 | STD3NK90ZT4和FQD2N90TM的区别 |
FQD2N90TF 飞兆/仙童 | 功能相似 | STD3NK90ZT4和FQD2N90TF的区别 |