STMICROELECTRONICS STD5N62K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.2 A, 620 V, 1.28 ohm, 10 V, 3.75 V
N 通道 MDmesh™ K3 系列,SuperMESH3™, STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 620V 4.2A DPAK
欧时:
STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD5N62K3, 4.2 A, Vds=620 V, 3引脚
贸泽:
MOSFET N-Ch 620V 1.28 Ohm SuperMESH3 4.3A
e络盟:
STMICROELECTRONICS STD5N62K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.2 A, 620 V, 1.28 ohm, 10 V, 3.75 V
艾睿:
Do you require the advantages of traditional transistors coupled with the switching benefits of power MOSFETs? STMicroelectronics&s; STD5N62K3 power MOSFET can provide a solution. Its maximum power dissipation is 70000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device utilizes supermesh 3 technology.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 620V 4.2A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
富昌:
STD5N62K3 系列 N 沟道 620 V 1.6 Ohm SuperMesh III 功率 Mosfet - TO-252-3
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 620V 4.2A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 3A; 70W; DPAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 620V 4.2A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
力源芯城:
620V,1.28Ω,4.2A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 620V 4.2A DPAK
针脚数 3
漏源极电阻 1.28 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 70 W
阈值电压 3.75 V
漏源极电压Vds 620 V
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 680pF @50VVds
额定功率Max 70 W
下降时间 21 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 70W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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STD5N62K3 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STB5N62K3 意法半导体 | 完全替代 | STD5N62K3和STB5N62K3的区别 |
STU5N52K3 意法半导体 | 功能相似 | STD5N62K3和STU5N52K3的区别 |
STD5NK50Z-1 意法半导体 | 功能相似 | STD5N62K3和STD5NK50Z-1的区别 |