N沟道500V -0.23 OHM - 17A TO- 220 / D2PAK / I2SPAK / TO- 247 N-CHANNEL 500V -0.23 OHM - 17A TO-220/D2PAK/I2SPAK/TO-247
N-Channel 500V 17A Tc 190W Tc Surface Mount D2PAK
得捷:
MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Newark:
# STMICROELECTRONICS STB20NK50ZT4 MOSFET Transistor, N Channel, 17 A, 500 V, 230 mohm, 30 V, 3.75 V
Win Source:
MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK
额定电压DC 500 V
额定电流 17.0 A
漏源极电阻 0.23 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 190 W
阈值电压 3.75 V
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 17.0 A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 2600pF @25VVds
额定功率Max 190 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 190W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STB20NK50ZT4 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STB21NK50Z 意法半导体 | 完全替代 | STB20NK50ZT4和STB21NK50Z的区别 |
R5016ANJTL 罗姆半导体 | 功能相似 | STB20NK50ZT4和R5016ANJTL的区别 |
STB20NK50Z 意法半导体 | 功能相似 | STB20NK50ZT4和STB20NK50Z的区别 |