N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
表面贴装型 N 通道 3A(Tc) 80W(Tc) DPAK
得捷:
MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
立创商城:
N沟道 800V 3A
欧时:
### N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
富昌:
N-Channel 800 V 3.5 Ω 80 W Surface Mount SuperMESH™ Power MosFet - TO-252
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 80W; DPAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# STMICROELECTRONICS STD4NK80ZT4 Power MOSFET, N Channel, 1.5 A, 800 V, 3 ohm, 10 V, 3.75 V
儒卓力:
**N-CH 800V 3A 3500mOhm TO252-3 **
力源芯城:
800V,3Ω,3A,N沟道功率MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
Win Source:
MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
额定电压DC 800 V
额定电流 3.00 A
针脚数 3
漏源极电阻 3 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 80 W
阈值电压 3.75 V
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 1.50 A
上升时间 12 ns
正向电压Max 1.6 V
输入电容Ciss 575pF @25VVds
额定功率Max 80 W
下降时间 32 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 80W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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STD4NK80ZT4 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STD4NK80Z-1 意法半导体 | 完全替代 | STD4NK80ZT4和STD4NK80Z-1的区别 |