N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics
MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。
得捷:
MOSFET N-CH 550V 16A D2PAK
欧时:
### N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
贸泽:
MOSFET N-Ch 550V 0.8 Ohm MDmesh M5 13A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 550V 16A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
富昌:
STB18N55M5 系列 550 V 0.192 Ohm 16 A N-沟道 MDmesh™ V 功率 MOSFET
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 550V 16A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 550V 16A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
力源芯城:
550V,13A,N沟道MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N-CH 550V 13A D2PAK
Win Source:
MOSFET N-CH 550V 13A D2PAK
漏源极电阻 0.18 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 90 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 550 V
连续漏极电流Ids 16A
上升时间 9.5 ns
输入电容Ciss 1260pF @100VVds
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 110W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.75 mm
宽度 10.4 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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STB18N55M5 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
IPP60R250CP 英飞凌 | 功能相似 | STB18N55M5和IPP60R250CP的区别 |