


















STMICROELECTRONICS STD1NK80ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1 A, 800 V, 13 ohm, 10 V, 3.75 V
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics
### MOSFET ,STMicroelectronics
立创商城:
N沟道 800V 1A
得捷:
MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STD1NK80ZT4, 1 A, Vds=800 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 800 V 13 Ohms Zener SuperMESH 1A
艾睿:
This STD1NK80ZT4 power MOSFET from STMicroelectronics can be used for amplification in your circuit. Its maximum power dissipation is 45000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This device utilizes supermesh technology.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# STMICROELECTRONICS STD1NK80ZT4 MOSFET Transistor, N Channel, 1 A, 800 V, 13 ohm, 10 V, 3.75 V
儒卓力:
**N-CH 800V 1A 16Ohm TO252-3 **
DeviceMart:
MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
Win Source:
MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
额定电压DC 800 V
额定电流 1.00 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 13 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 45 W
阈值电压 3.75 V
输入电容 160 pF
栅电荷 7.70 nC
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 1.00 A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 160pF @25VVds
额定功率Max 45 W
下降时间 55 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 45000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99



| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STD1NK80ZT4 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
FQD1N80TM 飞兆/仙童 | 功能相似 | STD1NK80ZT4和FQD1N80TM的区别 |