STF11NM80

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STF11NM80概述

STMICROELECTRONICS  STF11NM80  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 350 mohm, 10 V, 4 V

N 通道 MDmesh™,800V/1500V,STMicroelectronics


欧时:
### N 通道 MDmesh™,800V/1500V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP


立创商城:
N沟道 800V 11A


贸泽:
MOSFET N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 800 V, 11 A, 0.35 ohm, TO-220FP, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


富昌:
N-Channel 800 V 0.4 Ω MDMesh Power MosFet - TO-220FP


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 35W; TO220FP


Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STF11NM80  MOSFET Transistor, N Channel, 5.5 A, 800 V, 350 mohm, 10 V, 4 V


力源芯城:
800V,0.35Ω,11A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP


STF11NM80中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 800 V

额定电流 11.0 A

额定功率 35 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.35 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 35 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 800 V

漏源击穿电压 800 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 11.0 A

上升时间 17 ns

输入电容Ciss 1630pF @25VVds

额定功率Max 35 W

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 35W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.3 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

STF11NM80引脚图与封装图
STF11NM80引脚图
STF11NM80封装图
STF11NM80封装焊盘图
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型号: STF11NM80
描述:STMICROELECTRONICS  STF11NM80  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 350 mohm, 10 V, 4 V
替代型号STF11NM80
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