STMICROELECTRONICS STF11NM80 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 350 mohm, 10 V, 4 V
N 通道 MDmesh™,800V/1500V,STMicroelectronics
欧时:
### N 通道 MDmesh™,800V/1500V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP
立创商城:
N沟道 800V 11A
贸泽:
MOSFET N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 800 V, 11 A, 0.35 ohm, TO-220FP, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
富昌:
N-Channel 800 V 0.4 Ω MDMesh Power MosFet - TO-220FP
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 35W; TO220FP
Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STF11NM80 MOSFET Transistor, N Channel, 5.5 A, 800 V, 350 mohm, 10 V, 4 V
力源芯城:
800V,0.35Ω,11A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP
额定电压DC 800 V
额定电流 11.0 A
额定功率 35 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.35 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 35 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 11.0 A
上升时间 17 ns
输入电容Ciss 1630pF @25VVds
额定功率Max 35 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 35W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.3 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
香港进出口证 NLR
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
STF11NM80 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STP11NM80 意法半导体 | 类似代替 | STF11NM80和STP11NM80的区别 |
SPA11N80C3XKSA1 英飞凌 | 功能相似 | STF11NM80和SPA11N80C3XKSA1的区别 |