STMICROELECTRONICS STD25NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 100 V, 33 mohm, 10 V, 3 V
N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
欧时:
N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
立创商城:
N沟道 100V 25A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
富昌:
N-Channel 100 V 0.038 Ohm Surface Mount STripFET II Power MosFet - TO-252-3
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; 100W; DPAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 12.5 A, 100 V, 33 mohm, 10 V, 3 V
儒卓力:
**N-CH 100V 25A 38mOhm TO252-3 **
力源芯城:
100V,38mΩ,25A,N沟道功率MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
额定电压DC 100 V
额定电流 25.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.033 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 100 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 12.5 A
上升时间 60 ns
输入电容Ciss 1550pF @25VVds
额定功率Max 100 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Computers & Computer Peripherals, Power Management, 通信与网络, 电源管理, Power Management, Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
STD25NF10T4 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
FDD3682 飞兆/仙童 | 功能相似 | STD25NF10T4和FDD3682的区别 |
FDD3672 飞兆/仙童 | 功能相似 | STD25NF10T4和FDD3672的区别 |
FDD3680 飞兆/仙童 | 功能相似 | STD25NF10T4和FDD3680的区别 |