STMICROELECTRONICS STB30NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 100 V, 38 mohm, 10 V, 3 V
N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
得捷:
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
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N沟道 100V 35A
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MOSFET N-Ch 100 Volt 35 Amp
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Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
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Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
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N-Channel 100 V 0.045 Ohm Surface Mount STripFET II MosFet - D2PAK
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Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 115W; D2PAK
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Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
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# STMICROELECTRONICS STB30NF10T4 MOSFET Transistor, N Channel, 15 A, 100 V, 38 mohm, 10 V, 3 V
DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
额定电压DC 100 V
额定电流 35.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.038 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 115 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 15.0 A
上升时间 40 ns
输入电容Ciss 1180pF @25VVds
额定功率Max 115 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 115W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.4 mm
宽度 9.35 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 电源管理, Power Management, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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