STB30NF10T4

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STB30NF10T4概述

STMICROELECTRONICS  STB30NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 100 V, 38 mohm, 10 V, 3 V

N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。


得捷:
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK


欧时:
### N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


立创商城:
N沟道 100V 35A


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MOSFET N-Ch 100 Volt 35 Amp


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Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


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Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


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N-Channel 100 V 0.045 Ohm Surface Mount STripFET II MosFet - D2PAK


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Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 115W; D2PAK


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Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STB30NF10T4  MOSFET Transistor, N Channel, 15 A, 100 V, 38 mohm, 10 V, 3 V


DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK


STB30NF10T4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 35.0 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.038 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 115 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 15.0 A

上升时间 40 ns

输入电容Ciss 1180pF @25VVds

额定功率Max 115 W

下降时间 10 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 115W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 9.35 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 电源管理, Power Management, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

STB30NF10T4引脚图与封装图
STB30NF10T4引脚图
STB30NF10T4封装图
STB30NF10T4封装焊盘图
在线购买STB30NF10T4
型号: STB30NF10T4
描述:STMICROELECTRONICS  STB30NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 100 V, 38 mohm, 10 V, 3 V
替代型号STB30NF10T4
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STB30NF10T4

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

FQB33N10TM

飞兆/仙童

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