STMICROELECTRONICS STB23NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 150 mohm, 10 V, 4 V
N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 600V 19.5A D2PAK
欧时:
STMicroelectronics FDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STB23NM60ND, 19.5 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
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STB23NM60ND
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MOSFET N-CH 600V 0.150 Ohm 19.5A FDmesh II MOS
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功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 10 A, 0.15 ohm, TO-263 D2PAK, 表面安装
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Trans MOSFET N-CH 600V 19.5A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
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STB23NM60系列 N沟道 600 V 150 mOhm FDmesh™ II 功率MOSFET - D2PAK
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# STMICROELECTRONICS STB23NM60ND MOSFET Transistor, N Channel, 10 A, 600 V, 150 mohm, 10 V, 4 V
力源芯城:
600V,19.5A,N沟道MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 19.5A D2PAK
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 19.5A D2PAK
针脚数 3
漏源极电阻 0.15 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 150 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 10.0 A
上升时间 19 ns
输入电容Ciss 2050pF @50VVds
额定功率Max 150 W
下降时间 42 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.75 mm
宽度 10.4 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电源管理, Power Management, Industrial, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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