STMICROELECTRONICS STB55NF03LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 27.5 A, 30 V, 10 mohm, 10 V, 1 V
表面贴装型 N 通道 30 V 55A（Tc） 80W（Tc） D2PAK
得捷:
MOSFET N-CH 30V 55A D2PAK
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 55A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 55A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 55A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 27.5 A, 30 V, 10 mohm, 10 V, 1 V
针脚数 3
漏源极电阻 10 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 80 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±16.0 V
连续漏极电流Ids 27.5 A
上升时间 400 ns
输入电容Ciss 1265pF @25VVds
下降时间 50 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -60 ℃
耗散功率Max 80000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -60℃ ~ 175℃
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STB55NF03LT4 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STB55NF03L 意法半导体 | 功能相似 | STB55NF03LT4和STB55NF03L的区别 |