N 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
N 通道 STripFET™,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
立创商城:
STB35NF10T4
欧时:
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STB35NF10T4, 40 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 100 Volt 40 Amp
艾睿:
Make an effective common gate amplifier using this STB35NF10T4 power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 115000 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device utilizes stripfet ii technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; 115W; D2PAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
额定电压DC 100 V
额定电流 40.0 A
漏源极电阻 0.03 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 115 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 40.0 A
上升时间 60 ns
输入电容Ciss 1550pF @25VVds
额定功率Max 115 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 115W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.75 mm
宽度 10.4 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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