STB35NF10T4

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STB35NF10T4概述

N 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 STripFET™,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK


立创商城:
STB35NF10T4


欧时:
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STB35NF10T4, 40 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 100 Volt 40 Amp


艾睿:
Make an effective common gate amplifier using this STB35NF10T4 power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 115000 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device utilizes stripfet ii technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; 115W; D2PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK


STB35NF10T4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 40.0 A

漏源极电阻 0.03 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 115 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 40.0 A

上升时间 60 ns

输入电容Ciss 1550pF @25VVds

额定功率Max 115 W

下降时间 15 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 115W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.75 mm

宽度 10.4 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

STB35NF10T4引脚图与封装图
STB35NF10T4引脚图
STB35NF10T4封装图
STB35NF10T4封装焊盘图
在线购买STB35NF10T4
型号: STB35NF10T4
描述:N 通道 STripFET™,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
替代型号STB35NF10T4
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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ST Microelectronics 意法半导体

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