STMICROELECTRONICS STB80PF55T4 晶体管, MOSFET, P沟道, 40 A, -55 V, 16 mohm, 10 V, 3 V
P-Channel 55V 80A Tc 300W Tc Surface Mount D2PAK
得捷:
MOSFET P-CH 55V 80A D2PAK
贸泽:
MOSFET P-Ch 55 Volt 80 Amp
e络盟:
STMICROELECTRONICS STB80PF55T4 晶体管, MOSFET, P沟道, 40 A, -55 V, 16 mohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 55V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 55V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
DeviceMart:
MOSFET P-CH 55V 80A D2PAK
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -300 mA
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 16 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55 V
栅源击穿电压 ±16.0 V
连续漏极电流Ids 40.0 A
上升时间 190 ns
输入电容Ciss 5500pF @25VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 80 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.4 mm
宽度 9.35 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STB80PF55T4 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STB80PF55 意法半导体 | 功能相似 | STB80PF55T4和STB80PF55的区别 |