STB50NF25

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STB50NF25概述

STMICROELECTRONICS  STB50NF25  晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 250 V, 55 mohm, 10 V, 3 V

表面贴装型 N 通道 250 V 45A(Tc) 160W(Tc) D2PAK


得捷:
MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK


贸泽:
MOSFET Hi Vltg Pwr SCHOTTKY RECTIF


e络盟:
STMICROELECTRONICS  STB50NF25  晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 250 V, 55 mohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Use STMicroelectronics&s; STB50NF25 power MOSFET to switch quickly between different electronic signals with ease. Its maximum power dissipation is 160000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with stripfet technology.


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


DeviceMart:
MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK


STB50NF25中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 55 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 160 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 250 V

漏源击穿电压 250 V

连续漏极电流Ids 22.0 A

上升时间 26 ns

输入电容Ciss 2670pF @25VVds

额定功率Max 160 W

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 160W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 9.35 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STB50NF25
型号: STB50NF25
描述:STMICROELECTRONICS  STB50NF25  晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 250 V, 55 mohm, 10 V, 3 V
替代型号STB50NF25
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