MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 600V 2.4A D2PAK
欧时:
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贸泽:
MOSFET N-Ch 600 Volt 2.4 A Zener SuperMESH
e络盟:
STMICROELECTRONICS STB3NK60ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 3.3 ohm, 10 V, 3.75 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
富昌:
N-Channel 600 V 3.6 Ω 11.8 nC SuperMESH™Power Mosfet - TO-263
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# STMICROELECTRONICS STB3NK60ZT4 Power MOSFET, N Channel, 1.2 A, 600 V, 3.3 ohm, 10 V, 3.75 V
Win Source:
N-CHANNEL 600V - 3.3ohm - 2.4A TO-220/FP/D2PAK/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESHPower MOSFET
额定电压DC 600 V
额定电流 2.40 A
针脚数 3
漏源极电阻 3.3 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 45 W
阈值电压 3.75 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 1.20 A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 311pF @25VVds
额定功率Max 45 W
下降时间 14 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 45W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.75 mm
宽度 10.4 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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