STB40NF20

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STB40NF20概述

STMICROELECTRONICS  STB40NF20  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 200 V, 45 mohm, 10 V, 3 V

N 通道 STripFET™,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 200V 40A D2PAK


欧时:
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STB40NF20, 40 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装


贸泽:
MOSFET Low charge STripFET


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 200 V, 0.045 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 40A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 200V 40A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


富昌:
N-Channel 200 V 0.045 Ω Surface Mount STripFET™ Power Mosfet - D2PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 40A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


儒卓力:
**N-CH 200V 40A 45mOhm TO263-3 **


DeviceMart:
MOSFET N-CH 200V 40A D2PAK


STB40NF20中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 40.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.045 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 160 W

阈值电压 3 V

输入电容 2.50 nF

栅电荷 75.0 nC

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

连续漏极电流Ids 25.0 A, 40.0 A

上升时间 44 ns

输入电容Ciss 2500pF @25VVds

额定功率Max 160 W

下降时间 22 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 160W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 9.35 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STB40NF20
型号: STB40NF20
描述:STMICROELECTRONICS  STB40NF20  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 200 V, 45 mohm, 10 V, 3 V
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