STMICROELECTRONICS STB9NK60ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 600 V, 850 mohm, 10 V, 3.75 V
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
立创商城:
N沟道 600V, 0.85? , 7A功率MOSFET
欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STB9NK60ZT4, 7 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 600 Volt 7 Amp Zener SuperMESH
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 600 V, 0.85 ohm, 10 V, 3.75 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.4A; 125W; D2PAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Newark:
# STMICROELECTRONICS STB9NK60ZT4 Power MOSFET, N Channel, 3.5 A, 600 V, 850 mohm, 10 V, 3.75 V
儒卓力:
**N-CH 600V 1A 950mOhm TO263-3 **
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
额定电压DC 600 V
额定电流 7.00 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.85 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
阈值电压 3.75 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 7.00 A
上升时间 17 ns
输入电容Ciss 1110pF @25VVds
额定功率Max 125 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.4 mm
宽度 9.35 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, Power Management, Industrial, Industrial, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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