STB9NK60ZT4

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STB9NK60ZT4概述

STMICROELECTRONICS  STB9NK60ZT4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 600 V, 850 mohm, 10 V, 3.75 V

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK


立创商城:
N沟道 600V, 0.85? , 7A功率MOSFET


欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STB9NK60ZT4, 7 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 600 Volt 7 Amp Zener SuperMESH


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 600 V, 0.85 ohm, 10 V, 3.75 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.4A; 125W; D2PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STB9NK60ZT4  Power MOSFET, N Channel, 3.5 A, 600 V, 850 mohm, 10 V, 3.75 V


儒卓力:
**N-CH 600V 1A 950mOhm TO263-3 **


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK


STB9NK60ZT4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 7.00 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.85 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 125 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 7.00 A

上升时间 17 ns

输入电容Ciss 1110pF @25VVds

额定功率Max 125 W

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 9.35 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, Power Management, Industrial, Industrial, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

STB9NK60ZT4引脚图与封装图
STB9NK60ZT4引脚图
STB9NK60ZT4封装图
STB9NK60ZT4封装焊盘图
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型号: STB9NK60ZT4
描述:STMICROELECTRONICS  STB9NK60ZT4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 600 V, 850 mohm, 10 V, 3.75 V
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