VISHAY SQ2315ES-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -5 A, -12 V, 0.034 ohm, -4.5 V, -450 mV
The is a 12VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
针脚数 3
漏源极电阻 0.042 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-236
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.02 mm
RoHS标准 RoHS Compliant
数据手册