
















INFINEON SPD04N50C3 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 560 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 V
CoolMOS™C3 功率 MOSFET
### MOSFET ,Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
立创商城:
N沟道 500V 4.5A
欧时:
### Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
得捷:
MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK
e络盟:
# INFINEON SPD04N50C3 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 560 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 4.5A; 42W; PG-TO252-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
力源芯城:
500V,4.5A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK
DeviceMart:
MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK
额定电压DC 560 V
额定电流 4.50 A
额定功率 42 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.85 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 50 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 560 V
连续漏极电流Ids 4.50 A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 470pF @25VVds
额定功率Max 50 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 50W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.41 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPD04N50C3 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
SPD04N50C3ATMA1 英飞凌 | 类似代替 | SPD04N50C3和SPD04N50C3ATMA1的区别 |
SPD03N60C3ATMA1 英飞凌 | 功能相似 | SPD04N50C3和SPD03N60C3ATMA1的区别 |