

















INFINEON SPD04N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 650 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 V
CoolMOS™C3 功率 MOSFET
### MOSFET ,Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
立创商城:
N沟道 600V 4.5A
欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPD04N60C3, 4.5 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252封装
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin TO-252 T/R
儒卓力:
**N-CH 600V 5A 950mOhm TO252-3 **
力源芯城:
600V,4.5A,N沟道功率MOSFET
额定电压DC 650 V
额定电流 4.50 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.85 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 50 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 4.50 A
上升时间 2.5 ns
输入电容Ciss 490pF @25VVds
额定功率Max 50 W
下降时间 9.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 50 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.41 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPD04N60C3 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
SPD04N60S5 英飞凌 | 类似代替 | SPD04N60C3和SPD04N60S5的区别 |