SPD04N60C3

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SPD04N60C3概述

INFINEON  SPD04N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 650 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™C3 功率 MOSFET

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


立创商城:
N沟道 600V 4.5A


欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPD04N60C3, 4.5 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252封装


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin TO-252 T/R


儒卓力:
**N-CH 600V 5A 950mOhm TO252-3 **


力源芯城:
600V,4.5A,N沟道功率MOSFET


SPD04N60C3中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 650 V

额定电流 4.50 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.85 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 50 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 4.50 A

上升时间 2.5 ns

输入电容Ciss 490pF @25VVds

额定功率Max 50 W

下降时间 9.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 50 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.41 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SPD04N60C3
型号: SPD04N60C3
描述:INFINEON  SPD04N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 650 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 V
替代型号SPD04N60C3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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