SPD02N60C3中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 650 V
额定电流 1.80 A
针脚数 3
漏源极电阻 2.7 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 25 W
阈值电压 3 V
输入电容 200 pF
栅电荷 12.5 nC
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 1.80 A
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 200pF @25VVds
额定功率Max 25 W
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温Max 150 ℃
耗散功率Max 25000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买SPD02N60C3
型号： SPD02N60C3
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：INFINEON SPD02N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 650 V, 2.7 ohm, 10 V, 3 V
替代型号SPD02N60C3
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPD02N60C3 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |