INFINEON SPD06N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 650 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 V
CoolMOS™C3 功率 MOSFET
### MOSFET ，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
立创商城:
N沟道 600V 6.2A
欧时:
### Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
贸泽:
MOSFET N-Ch 650V 6.2A DPAK-2 CoolMOS C3
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 6.2A 3-Pin TO-252 T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 6.2A 3-Pin2+Tab TO-252
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 6.2A 3-Pin2+Tab DPAK
儒卓力:
**N-CH 600V 6A 750mOhm TO252-3 **
力源芯城:
600V,6.2A,N沟道功率MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-252
额定电压DC 650 V
额定电流 6.20 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.68 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 74 W
阈值电压 3 V
输入电容 620 pF
栅电荷 31.0 nC
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 650 V
连续漏极电流Ids 6.20 A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 620pF @25VVds
额定功率Max 74 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 74 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
