SPD06N80C3

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SPD06N80C3概述

INFINEON  SPD06N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 800 V, 0.78 ohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™C3 功率 MOSFET

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


立创商城:
N沟道 800V 6A


欧时:
### Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能


贸泽:
MOSFET N-Ch 800V 6A DPAK-2 CoolMOS C3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin2+Tab TO-252


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin2+Tab TO-252


Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


儒卓力:
**N-CH 800V 6A 900mOhm TO252 **


力源芯城:
800V,6A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
Cool MOS Power Transistor


SPD06N80C3中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 800 V

额定电流 6.00 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.78 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 83 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 6.00 A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 785pF @100VVds

额定功率Max 83 W

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 83 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SPD06N80C3
型号: SPD06N80C3
描述:INFINEON  SPD06N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 800 V, 0.78 ohm, 10 V, 3 V

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