SPD07N20 G中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.3 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 40 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 200 V
上升时间 40 ns
输入电容Ciss 400pF @25VVds
下降时间 30 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 40000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买SPD07N20 G
型号： SPD07N20 G
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：INFINEON SPD07N20 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 200 V, 0.3 ohm, 10 V, 3 V