SPD07N60C3

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SPD07N60C3概述

Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

CoolMOS™C3 功率 MOSFET

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


立创商城:
N沟道 650V 7.3A


得捷:
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3


贸泽:
MOSFET N-Ch 600V 7.3A DPAK-2 CoolMOS C3


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin TO-252 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 83W; PG-TO252-3


儒卓力:
**N-CH 600V 7A 600mOhm TO252-3 **


力源芯城:
600V,7.3A,N沟道功率MOSFET


SPD07N60C3中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 650 V

额定电流 7.30 A

额定功率 83 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.54 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 83 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 7.30 A

上升时间 3.5 ns

输入电容Ciss 790pF @25VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 83 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SPD07N60C3
型号: SPD07N60C3
描述:Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
替代型号SPD07N60C3
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