SPD02N60S5

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SPD02N60S5概述

INFINEON  SPD02N60S5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 600 V, 2.7 ohm, 10 V, 4.5 V

CoolMOS™S5 功率 MOSFET 系列

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


欧时:
Infineon CoolMOS S5 系列 Si N沟道 MOSFET SPD02N60S5, 1.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-252封装


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 600 V, 2.7 ohm, 10 V, 4.5 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 1.8A 3-Pin2+Tab DPAK


力源芯城:
600V,1.8A,N沟道功率MOSFET


SPD02N60S5中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 1.80 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 2.7 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 25 W

阈值电压 4.5 V

输入电容 240 pF

栅电荷 9.50 nC

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 1.80 A

输入电容Ciss 240pF @25VVds

额定功率Max 25 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 25000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 工业, 电源管理, Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买SPD02N60S5
型号: SPD02N60S5
制造商: Infineon 英飞凌
描述:INFINEON  SPD02N60S5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 600 V, 2.7 ohm, 10 V, 4.5 V
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