















INFINEON SPD02N60S5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 600 V, 2.7 ohm, 10 V, 4.5 V
CoolMOS™S5 功率 MOSFET 系列
### MOSFET ,Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
欧时:
Infineon CoolMOS S5 系列 Si N沟道 MOSFET SPD02N60S5, 1.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-252封装
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 600 V, 2.7 ohm, 10 V, 4.5 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 1.8A 3-Pin2+Tab DPAK
力源芯城:
600V,1.8A,N沟道功率MOSFET
额定电压DC 600 V
额定电流 1.80 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 2.7 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 25 W
阈值电压 4.5 V
输入电容 240 pF
栅电荷 9.50 nC
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 1.80 A
输入电容Ciss 240pF @25VVds
额定功率Max 25 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 25000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 工业, 电源管理, Industrial, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPD02N60S5 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
SPD02N60C3 英飞凌 | 类似代替 | SPD02N60S5和SPD02N60C3的区别 |