INFINEON SPD02N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2 A, 800 V, 2.4 ohm, 10 V, 3 V
CoolMOS™C3 功率 MOSFET
### MOSFET ，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
立创商城:
N沟道 800V 2A
欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPD02N80C3BTMA1, 2 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-252封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin TO-252 T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin2+Tab TO-252
Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
儒卓力:
**N-CH 800V 2A 2700mOhm TO252-3 **
力源芯城:
800V,2A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
CoolMOS Power Transistor
额定电压DC 800 V
额定电流 2.00 A
针脚数 3
漏源极电阻 2.4 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 42 W
阈值电压 3 V
输入电容 290 pF
栅电荷 12.0 nC
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 2.00 A
上升时间 15 ns
正向电压Max 1.2 V
输入电容Ciss 290pF @100VVds
下降时间 18 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 42 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.41 mm
封装 TO-252
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99