SPD03N50C3

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SPD03N50C3概述

INFINEON  SPD03N50C3  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 560 V, 1.25 ohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™C3 功率 MOSFET

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


立创商城:
N沟道 560V 3.2A


欧时:
### Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能


安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 3.2A 3-Pin TO-252 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 3.2A 3-Pin2+Tab TO-252


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 3.2A 3-Pin2+Tab DPAK


力源芯城:
500V,3.2A,N沟道功率MOSFET


SPD03N50C3中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 560 V

额定电流 3.20 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 1.25 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 38 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 560 V

连续漏极电流Ids 3.20 A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 350pF @25VVds

额定功率Max 38 W

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 38W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.41 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买SPD03N50C3
型号: SPD03N50C3
描述:INFINEON  SPD03N50C3  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 560 V, 1.25 ohm, 10 V, 3 V
替代型号SPD03N50C3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SPD03N50C3

Infineon 英飞凌

当前型号

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英飞凌

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