SPD18P06P参数规格_中文资料_数据手册PDF

SPD18P06P概述

INFINEON SPD18P06P 晶体管, MOSFET, P沟道, 18.6 A, -60 V, 130 mohm, -10 V, 20 V

表面贴装型 P 通道 18.6A（Tc） 80W（Tc） PG-TO252-3

得捷:
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3

e络盟:
# INFINEON SPD18P06P 晶体管, MOSFET, P沟道, 18.6 A, -60 V, 130 mohm, -10 V, 20 V

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin2+Tab DPAK

SPD18P06P中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -18.6 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 130 mΩ

极性 P-CH

耗散功率 80 W

阈值电压 20 V

输入电容 860 pF

栅电荷 33.0 nC

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 18.6 A

上升时间 5.8 ns

输入电容Ciss 860pF @25VVds

额定功率Max 80 W

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温Max 150 ℃

耗散功率Max 80000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买SPD18P06P

型号： SPD18P06P

制造商： Infineon 英飞凌

描述：INFINEON SPD18P06P 晶体管, MOSFET, P沟道, 18.6 A, -60 V, 130 mohm, -10 V, 20 V

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替代型号SPD18P06P

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