SPA06N60C3

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SPA06N60C3概述

INFINEON  SPA06N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 650 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 V

The is a 650V CoolMOS™ N-channel Power MOSFET features ultra-low gate charge. It is suitable for server, telecom, PC Power and adapter applications.

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New revolutionary high voltage technology
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Extreme dV/dt rated
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High peak current capability
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Qualified according to JEDEC for target applications
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Ultra low effective capacitance
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Fully isolated package
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Low specific ON-state resistance
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Field proven CoolMOS™ quality
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Very low energy storage in output capacitance Eoss@400V
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High efficiency and power density
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Outstanding performance
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High reliability
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Ease of use
SPA06N60C3中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 650 V

额定电流 6.20 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.68 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 32 W

阈值电压 3 V

输入电容 620 pF

栅电荷 31.0 nC

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 6.20 A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 620pF @25VVds

额定功率Max 32 W

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 32W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.65 mm

宽度 4.85 mm

高度 16.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tube

制造应用 通信与网络, Industrial, 工业, Consumer Electronics, Communications & Networking, 消费电子产品, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买SPA06N60C3
型号: SPA06N60C3
描述:INFINEON  SPA06N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 650 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 V
替代型号SPA06N60C3
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