INFINEON SPA06N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 650 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 V
The is a 650V CoolMOS™ N-channel Power MOSFET features ultra-low gate charge. It is suitable for server, telecom, PC Power and adapter applications.
额定电压DC 650 V
额定电流 6.20 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.68 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 32 W
阈值电压 3 V
输入电容 620 pF
栅电荷 31.0 nC
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 6.20 A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 620pF @25VVds
额定功率Max 32 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 32W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.65 mm
宽度 4.85 mm
高度 16.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tube
制造应用 通信与网络, Industrial, 工业, Consumer Electronics, Communications & Networking, 消费电子产品, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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SPA06N60C3 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPA60R750E6 英飞凌 | 类似代替 | SPA06N60C3和IPA60R750E6的区别 |
STF9NM60N 意法半导体 | 功能相似 | SPA06N60C3和STF9NM60N的区别 |