INFINEON SPP20N60C3.. 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V
CoolMOS™C3 功率 MOSFET
### MOSFET ,Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
立创商城:
SPP20N60C3
欧时:
Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
贸泽:
MOSFET N-Ch 600V 20.7A TO220-3 CoolMOS C3
e络盟:
# INFINEON SPP20N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin3+Tab TO-220AB
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; TO220AB
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
儒卓力:
**CoolMOS 600V 21A 190mOhm TO220 **
力源芯城:
600V,20.7A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-220
额定电压DC 650 V
额定电流 20.7 A
额定功率 208 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 190 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 208 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 20.7 A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 2400pF @25VVds
额定功率Max 208 W
下降时间 4.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 208 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 15.65 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Not Recommended for New Design
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals, Consumer Electronics
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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