SI4431DY-T1

SI4431DY-T1图片1
SI4431DY-T1中文资料参数规格
技术参数

极性 P-Channel

耗散功率 2.50 W

漏源极电压Vds -30.0 V

漏源击穿电压 -30.0 V

连续漏极电流Ids 5.80 A

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

在线购买SI4431DY-T1
型号: SI4431DY-T1
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:MOS场效应管/SI4431DY-T1

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台