漏源极电压Vds 650 V
封装 TO-220
商品目录 MOS场效应管
漏源电压（Vdss） 650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时） 7A
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 1.4Ω @ 3.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C） 46W
类型 N沟道
商品编号 C33761
封装规格 TO-220FTO-220IS
RoHS标准 RoHS Compliant
数据手册