SSM6J212FE,LF

SSM6J212FE,LF图片1
SSM6J212FE,LF图片2
SSM6J212FE,LF图片3
SSM6J212FE,LF概述

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6Pin SOT-563 Embossed T/R

P-Channel 20V 4A Ta 500mW Ta Surface Mount ES6


得捷:
MOSFET P-CH 20V 4A ES6


贸泽:
MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -4A -20VDSS 500mW


艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 20V 4A 6-Pin ES T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 20V 4A 6-Pin ES T/R


Win Source:
MOSFET P-CH 20V 4A ES6


SSM6J212FE,LF中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.7 W

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 970pF @10VVds

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 ES-6

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 1.2 mm

高度 0.55 mm

封装 ES-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

数据手册

在线购买SSM6J212FE,LF
型号: SSM6J212FE,LF
制造商: Toshiba 东芝
描述:Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6Pin SOT-563 Embossed T/R

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台