SSM6J505NU,LF

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SSM6J505NU,LF概述

UDFN-B P-CH 12V 12A

Amplify electronic signals and switch between them with the help of "s power MOSFET. Its maximum power dissipation is 2500 mW. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This device utilizes u-mos vi technology. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.

SSM6J505NU,LF中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

耗散功率 2.5 W

漏源极电压Vds 12 V

连续漏极电流Ids 12A

输入电容Ciss 2700pF @10VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.25W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 UDFN-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 2 mm

高度 0.75 mm

封装 UDFN-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

数据手册

SSM6J505NU,LF引脚图与封装图
SSM6J505NU,LF封装焊盘图
在线购买SSM6J505NU,LF
型号: SSM6J505NU,LF
制造商: Toshiba 东芝
描述:UDFN-B P-CH 12V 12A

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